HORIBA – PLASMA PROFILING TOFMS™
Liên hệ
Hãng sản xuất: HORIBA
Model: PLASMA PROFILING TOFMS™
Chỉ tiêu phân tích:
Ứng dụng:
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
- Tốc độ xử lý: 33kHz trên dải nguyên tố đến U (thu 1 phổ đầy đủ là 30μs)
- Phân giải khối phổ: 3500 tại m/s 208, 5000 tại m/z 208
- Dải động học: 107
- Độ chính xác khối (m/z sai số/ m/z thực): 40 ppm
- Độ nhạy: 103 cps/ppm
- Độ phân giải chiều sâu: cỡ nm
- Khả năng tẩy trống linh hoạt với mode ion âm và dương: đến 4 ions
- Đưa mẫu theo chiều ngang, đơn giản và dễ dàng
Kết hợp tốc độ GD plasma với độ nhạy khối phổ thời gian bay, cho độ nhạy cao hơn GD OES và thông tin đồng vị và phân tử
- Phân tích trực tiếp và nhanh: không cần buồng chân không cao và bước chuẩn bị sơ bộ.
- Phù hợp với mọi dạng vật liệu và chất phủ.
- Phân tích trên toàn dải khối phổ: từ nguyên tố H đến U và thông tin phân tử, bao gồm theo dõi đồng vị.
- Dữ liệu 3D độc đáo
- Độ phân giải sâu cao: khả năng phân tích lớp mỏng 1nm
- Chiều dầy phân tích: đến 100μm
- Phân tích bán định lượng: hiệu ứng ma trận do quá trình phún xạ và ion hóa tách biệt.
Hãy là người đầu tiên nhận xét “HORIBA – PLASMA PROFILING TOFMS™”
Sản phẩm tương tự
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.